Developpement d'un procede pour la realisation de diodes laser stabilisees en frequence sans reprise d'epitaxie

Ce document presente un procede de fabrication pour la stabilisation d'une diode laser en frequence. La stabilisation est accomplie en incorporant un reseau de Bragg sur les parois laterales du guide ruban connecte a une diode laser et ce, sans reprise d'epitaxie. L'heterostructure utilisee est du InGaAs/InGaAsP/InP. Le procede de fabrication consiste en premier lieu de lithographie par faisceau d'electrons, de photolithographie et finalement de gravure plasma. Le masque de gravure est fait d'un agencement d'oxyde de silicium et de chrome, soient des materiaux volatils au chlore gazeux lors de la gravure seche a haute temperature. Le tout est grave 1,5 mum de profondeur, jusqu'a la barriere de gravure, de maniere extremement verticale dans la couche de confinement et perpendiculaire a la surface. Les resultats des mesures prises de ces reseaux de Bragg sur les parois laterales du guide ruban demontrent une bonne efficacite au niveau de la selectivite de frequence. Ceci est du au bon couplage des variations des indices de refraction permettant une bonne reflexion dans la cavite du reseau de Bragg. Ces mesures sont aussi comparees avec les resultats de simulations et de calculs theoriques et concordent avec ces derniers malgre quelques legeres differences.