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Etude du procede d'interdiffusion de puits sur des heterostructures soumises a des champs de contrainte

Posted on:2007-06-04Degree:Ph.DType:Dissertation
University:Universite de Sherbrooke (Canada)Candidate:Francois, AlexandreFull Text:PDF
GTID:1441390005477013Subject:Engineering
Abstract/Summary:
L'interdiffusion de puits quantiques est un procede post croissance epitaxiale qui permet la modification locale de la structure de bande d'energie du materiau caracterisee par une modification de la longueur d'onde d'emission associee aux puits quantiques, grace a la modification de leur composition sous la diffusion de defauts ponctuels. Ces defauts ponctuels peuvent etre crees localement par differentes techniques parmi lesquelles se retrouve l'implantation ionique a basse energie. Cette derniere offre l'avantage de pouvoir controler efficacement la quantite de defauts crees et de localiser les dommages dans les couches superficielles de l'heterostructure.;Il a ete demontre que l'utilisation de couches de contrainte en oxyde de titane au cours du procede d'interdiffusion de puits quantiques par implantation ionique a faible energie permettait d'accelerer ou de freiner la diffusion des defauts ponctuels selon le type de defauts (lacunes ou interstitiels). Ce phenomene se manifeste par un accroissement significatif du decalage effectif de la longueur d'onde pour les echantillons recouverts d'oxyde de titane a l'issue du procede et une diminution du decalage thermique induit par la diffusion des defauts intrinseques. L'impact de l'utilisation d'une couche de contrainte sur la resolution spatiale du procede d'interdiffusion a egalement ete etudie. Il a ete demontre que la resolution spatiale pouvait etre amelioree de facon significative, ouvrant ainsi la voie a la realisation de motifs a l'echelle nanometrique tels que des points ou des fils quantiques.;Dans le cadre de ces travaux de doctorat, l'objectif poursuivi a consiste a ameliorer le procede d'interdiffusion de puits quantiques par implantation ionique sur les heterostructures a base d'InP aussi bien d'un point de vue d'amplitude du decalage de longueur d'onde obtenu a l'issue du procede que de l'augmentation de la resolution spatiale. Les activites de recherche ont principalement ete orientees sur l'emploi de couches de contraintes en surface, identifiees "stressors", pour modifier les proprietes de diffusion des defauts.
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